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台积电28纳米系列制程同时具备了高介电层/金属闸，以及氮氧化硅闸晶体管两种选择的弹性制造能力，而28纳米制程将是此一系列中的全世代制程。目前有多个客户正使用台积电28纳米制程进行产品设计，由与客户密切的协同合作，可以让客户选用最佳化的晶体管材料，以达到速度、耗电与成本考虑的目标。
台积电全球业务暨营销副总经理陈俊圣表示：「产品差异化、加快产品上市时程以及最佳投资效益，是台积公司提供给客户最重要的三个价值。有鉴于此，我们正在开发一个全备的28纳米制程系列，来满足客户不同产品应用及效能的需求。」
以氮氧化硅为基础的28纳米低耗电高效能制程-28LPT (Low Power/High Performance)制程，是此一制程系列中总功耗最低及具备成本效益的选择，与40纳米低耗电制程(40LP)相较，其闸密度预计可增为2倍，速度可增加最多达50%或功耗减少30%至50%。28LPT制程预计于2010年初即可开始生产，可应用于行动基频、应用处理器、无线网络与可携式消费性电子产品等。
由于无线和行动消费性产品日新月异，为了协助客户抢得市场先机，台积电遂决定在成功的氮氧化硅材料基础上开发28 LPT制程。过去几年，消费者的需求是低漏电且电池寿命长久的可携式电子产品，而今消费者对无线通讯设备的需求，除了传统的通话和简讯发送功能之外，更希望其具备上网、视讯串流(Video Streaming)、音乐、行动电视、卫星导航等功能。
目前在电池寿命方面，消费者更关心的是操作功耗的多寡，而氮氧化硅材料的闸电容量较低，操作功耗较一般高介电层/金属闸要小，为受到电力限制的产品提供较低的总功耗优势、更佳的成本效益及更低的风险。
至于28纳米高效能制程(High Performance，28HP)则是台积电第一个使用高介电层/金属闸的制程，将着重于中央处理器、绘图处理器及可程序逻辑门阵列(FPGAs)等高效能的产品应用，预计于2010上半年度开始生产。此外，与40纳米泛用型制程(40G)相较，在类似的电力密度下，28HP制程的闸密度增为2倍，速度则高出30%以上。而在28纳米世代之后的更新世代制程，高介电层/金属闸材料将具有明显的优势。
台积电的28纳米制程目前提供α版的设计套件支持，预计于今年底开始推出快速且频繁的晶圆共乘服务(CyberShuttle)予客户进行产品试制。
台积公司目前正与客户及设计生态系统合作伙伴密切合作，于近来揭示的开放创新平台(Open Innovation Platform)上建构一完善的28纳米制程设计基础，目标在于协助客户使用此一制程系列发展众多不同产品的差异化。
